IS43DR16320E-25DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Deutsch
Artikelnummer: | IS43DR16320E-25DBLI-TR |
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Hersteller / Marke: | Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) |
Teil der Beschreibung.: | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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2500+ | $4.3084 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 15ns |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Technologie | SDRAM - DDR2 |
Supplier Device-Gehäuse | 84-TWBGA (8x12.5) |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | 84-TFBGA |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 512Mbit |
Speicherorganisation | 32M x 16 |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | DRAM |
Uhrfrequenz | 400 MHz |
Grundproduktnummer | IS43DR16320 |
Zugriffszeit | 400 ps |
IS43DR16320E-25DBLI-TR Einzelheiten PDF [English] | IS43DR16320E-25DBLI-TR PDF - EN.pdf |
IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
ISSI FBGA84
IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz
IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz
IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16640-3DBLI ISSI
IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IS43DR16320E-25DBLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
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Zielpreis (USD)
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